碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法

Measuring method for testing the density of dislocation in SiC crystalCombined KOH etching and image recognition methods

T/CASAS 013-2021 制造业

现行

标准状态

发布日期

2021-11-01

实施日期

2021-12-01

基础信息

标准号

T/CASAS 013-2021

团体名称

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

包含专利

标准分类

国际标准分类号

31-030

行业分类

C398 电子元件及电子专用材料制造

标准层级

团体标准

适用范围

本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。 本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计,材料表面为化学机械抛光状态。

主要技术内容

本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计,材料表面为化学机械抛光状态。

起草单位

广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰

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