主要技术内容
本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。
Measuring method for testing the density of dislocation in SiC crystalCombined KOH etching and image recognition methods
现行
2021-11-01
2021-12-01
本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。 本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。
本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。
广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 014-2021 | 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| SJ/T 12071-2025 | 半导体器件 分立器件碳化硅二极管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12069-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12015-2025 | 碳化硅颗粒铝合金基复合板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| JB/T 15530-2026 | 碳化硅特种制品重结晶碳化硅辊棒 | 即将实施 | 2026-04-28 | 2026-11-02 |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-01 | 2024-04-09 |
| T/NXCL 001-2021 | 精细陶瓷用亚微米碳化硅微粉 | 现行 | 2021-11-11 | 2021-11-11 |
| T/NXCL 002-2021 | 常压烧结碳化硅陶瓷防弹材料 | 现行 | 2021-11-11 | 2021-11-11 |
| T/SAS 0008-2020 | 轻量化碳化硅反射镜 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/SAS 0009-2020 | 轻量化碳化硅反射镜镜坯 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/ZSA 72-2019 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2019-12-31 | 2020-03-01 |
| T/CNIA 0011-2019 | 气相沉积法碳化硅涂层 | 现行 | 2019-02-13 | 2019-06-01 |
| T/IAWBS 005-2018 | 6 英寸碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/CASAS 001-2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 现行 | 2018-09-21 | 2018-09-21 |
| DB62/ 2597-2015 | 碳化硅单位产品能耗限额 | 现行 | 2015-10-16 | 2016-01-01 |
| YS/T 1776-2025 | 热敏打印用碳-碳化硅靶材 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| JB/T 10891-2025 | 碳化硅特种制品 氮化硅结合碳化硅 方梁 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-11-01 |
| JB/T 10698-2025 | 碳化硅特种制品 重结晶碳化硅 板 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-11-01 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |