主要技术内容
本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。
现行
2022-03-17
2022-03-24
本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。 本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。 本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。
本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。
国宏中宇科技发展有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、北京聚睿众邦科技有限公司、芜湖启迪半导体有限公司、中国科学院半导体研究所
刘素娟、鲍慧强、李龙远、王锡铭、赵然、赵子强、刘春俊、闫方亮、郑红军、王文军、钮应喜、刘兴昉、刘祎晨
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/ZSSP 0010-2022 | 无骨脆肉鲩鱼柳 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-17 |
| SJ/T 12071-2025 | 半导体器件 分立器件碳化硅二极管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12069-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12015-2025 | 碳化硅颗粒铝合金基复合板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| JB/T 15530-2026 | 碳化硅特种制品重结晶碳化硅辊棒 | 即将实施 | 2026-04-28 | 2026-11-02 |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-01 | 2024-04-09 |
| T/NXCL 001-2021 | 精细陶瓷用亚微米碳化硅微粉 | 现行 | 2021-11-11 | 2021-11-11 |
| T/NXCL 002-2021 | 常压烧结碳化硅陶瓷防弹材料 | 现行 | 2021-11-11 | 2021-11-11 |
| T/SAS 0008-2020 | 轻量化碳化硅反射镜 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/SAS 0009-2020 | 轻量化碳化硅反射镜镜坯 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/ZSA 72-2019 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2019-12-31 | 2020-03-01 |
| T/CNIA 0011-2019 | 气相沉积法碳化硅涂层 | 现行 | 2019-02-13 | 2019-06-01 |
| T/IAWBS 005-2018 | 6 英寸碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/CASAS 001-2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 现行 | 2018-09-21 | 2018-09-21 |
| DB62/ 2597-2015 | 碳化硅单位产品能耗限额 | 现行 | 2015-10-16 | 2016-01-01 |
| YS/T 1776-2025 | 热敏打印用碳-碳化硅靶材 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| JB/T 10891-2025 | 碳化硅特种制品 氮化硅结合碳化硅 方梁 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-11-01 |
| JB/T 10698-2025 | 碳化硅特种制品 重结晶碳化硅 板 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-11-01 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |