主要技术内容
本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。
Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry
现行
2021-11-01
2021-12-01
T/CASAS 014-2021
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
否
31-030
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。 本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。
本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。
广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YS/T 1653-2023 | 氮化镓衬底片 | 现行 | 2023-12-20 | 2024-07-01 |
| GB/T 43662-2024 | 蓝宝石图形化衬底片 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-10-01 |
| SJ/T 11867-2022 | 硅衬底蓝光小功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 24580-2009 | 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| DB32/T 4378-2022 | 衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻的无损测试 四探针法 | 现行 | 2022-10-23 | 2022-11-23 |
| GB/T 37053-2018 | 氮化镓外延片及衬底片通用规范 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 32188-2015 | 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| GB/T 36705-2018 | 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 32189-2015 | 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| YS/T 839-2012 | 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法 | 现行 | 2012-11-07 | 2013-03-01 |
| GB/T 31353-2014 | 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| SJ/T 11498-2015 | 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 33826-2017 | 玻璃衬底上纳米薄膜厚度测量 触针式轮廓仪法 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| SJ/T 11865-2022 | 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| SJ/T 11868-2022 | 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| T/ZZB 2332-2021 | 发光二极管用蓝宝石衬底抛光片 | 现行 | 2021-08-30 | 2021-09-30 |
| SJ/T 11864-2022 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 41751-2022 | 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-02-01 |
| GB/T 24576-2009 | 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| T/CASAS 025-2023 | 8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| GB/T 30855-2014 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 30858-2025 | 蓝宝石单晶衬底抛光片 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| GB/T 30861-2014 | 太阳能电池用锗衬底片 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| T/CASAS 017-2021 | 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |