Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
现行
2009-10-30
2010-06-01
GB/T 24580-2009
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
该标准采用国际标准
H80
29.045
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
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