主要技术内容
由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准。
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The Terminology for Defects in both 4H-SiC Substrates and Epilayers
现行
2018-11-20
2018-11-20
T/CASAS 004.1-2018
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
否
31.080.01 半导体器分立件综合
M731 自然科学研究和试验发展
团体标准
由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准。
东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
孙国胜、杨霏、柏松、许恒宇、李诚瞻、高玉强、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/ZJCX 0049-2024 | 碳化硅衬底激光剥离设备 | 现行 | 2024-12-24 | 2024-12-25 |
| GB/T 30858-2025 | 蓝宝石单晶衬底抛光片 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| GB/T 33826-2017 | 玻璃衬底上纳米薄膜厚度测量 触针式轮廓仪法 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| GB/T 37053-2018 | 氮化镓外延片及衬底片通用规范 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 30855-2014 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 30858-2014 | 蓝宝石单晶衬底抛光片 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 36705-2018 | 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 32188-2015 | 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| SJ/T 11865-2022 | 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11869-2022 | 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11867-2022 | 硅衬底蓝光小功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11868-2022 | 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11864-2022 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| DB32/T 4378-2022 | 衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻的无损测试 四探针法 | 现行 | 2022-10-23 | 2022-11-23 |
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| GB/T 41751-2022 | 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-02-01 |
| YS/T 839-2012 | 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法 | 现行 | 2012-11-07 | 2013-03-01 |
| GB/T 31353-2014 | 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 43662-2024 | 蓝宝石图形化衬底片 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-10-01 |
| GB/T 30861-2014 | 太阳能电池用锗衬底片 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 24580-2009 | 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 24576-2009 | 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 32189-2015 | 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
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