4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱

The Metallographs Collection for Defects in both 4H-SiC Substrates and Epilayers

T/CASAS 004.2-2018制造业

现行

标准状态

发布日期

2018-11-20

实施日期

2018-11-20

基础信息

标准号

T/CASAS 004.2-2018

团体名称

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

包含专利

标准分类

国际标准分类号

31.080.01 半导体器分立件综合

行业分类

C398 电子元件及电子专用材料制造

标准层级

团体标准

主要技术内容

由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同,而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准,因此,为了规范4H-SiC缺陷术语和定义,特制定本标准。本标准由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)制定发布,版权归CASA所有,未经CASA许可不得随意复制;其他机构采用本标准的技术内容制定标准需经CASA允许;任何单位或个人引用本标准的内容需指明本标准的标准号。

起草单位

东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院

起草人

孙国胜、杨霏、柏松、许恒宇、李诚瞻、高玉强、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙

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