现行
2022-10-20
2023-01-01
SJ/T 11818.2-2022
工业和信息化部
制定
L53
31.26
产品标准
电子
行业标准
94224-2024
2024-05-31
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 14548-2025 | 船用半导体变流器通用技术条件 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| SJ/T 10585-1994 | 半导体分立器件表面安装器件外型尺寸及引线框架尺寸 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| T/GVS 005-2022 | 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范 | 现行 | 2022-03-28 | 2022-03-28 |
| T/NXCL 28-2024 | 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚 | 现行 | 2024-02-02 | 2024-02-02 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 1831-2016 | 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1834-2016 | 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 4326-2006 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| SJ/T 11763-2020 | 半导体制造设备人机界面规范 | 现行 | 2020-12-09 | 2021-04-01 |
| T/GVS 005-2022 (2) | 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范 | 现行 | 2022-03-28 | 2022-03-28 |
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| T/SZBSIA 006-2025 | IC类半导体固晶机技术规范 | 现行 | 2025-12-02 | 2025-12-02 |
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