Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2012-12-31 | 2013-06-01 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 7576-1998 | 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6217-1998 | 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 17573-1998 | 半导体器件分立器件和集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 4023.1-2026 | 半导体分立器件 第1部分：分规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 4587-1994 | 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 | 废止 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 37312.1-2019 | 航空电子过程管理 航空航天、国防及其他高性能应用领域（ADHP）电子元器件 第1部分：高可靠集成电路与分立半导体器件通用要求 | 现行 | 2019-03-25 | 2019-10-01 |
| GB/Z 127.1-2025 | 航空电子过程管理 航空航天合格电子元器件（AQEC） 第1部分：集成电路和半导体分立器件 | 现行 | 2025-12-03 | |
| GB/Z 102.17-2026 | 半导体器件分立器件 第17部分：基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器 | 现行 | 2026-01-04 | |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 4023.3-2026 | 半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 13150-2005 | 半导体器件分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |