Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference
2006-07-18
2006-11-01
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 14282.3-2006 | 仪表着陆系统（ILS）第3部分： 航向信标性能要求和测试方法 | 现行 | 2006-10-10 | 2007-02-01 |
| ZJM-002-3547-2023 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2023-11-07 | 2023-11-07 |
| YS/T 1745-2025 | 分子束外延（MBE）用高纯铝源 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| GB/T 47917-2026 | 300mm硅外延片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |