Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 8758-2006 | 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 30856-2014 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 47901-2026 | 激光器外延芯片用砷化镓衬底 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 19199-2015 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| GB/T 17170-2015 | 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| SJ/T 11496-2015 | 红外吸收法测量砷化镓中硼含量 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 14847-2010 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 | 废止 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 14847-2025 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法（外文版EN） | 现行 | 2024-04-12 | |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| GB/T 11094-2020 | 水平法砷化镓单晶及切割片 | 现行 | 2020-09-29 | 2021-08-01 |
| GB/T 35305-2017 | 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片 | 废止 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| GB/T 20228-2021 | 砷化镓单晶 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 11093-2007 | 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 | 现行 | 2007-09-11 | 2008-02-01 |