Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
废止
2011-01-10
2011-10-01
GB/T 14847-2010
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
H80
29.045
国家标准
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YS/T 1614-2023 | 掺杂包覆型镍钴铝酸锂 | 现行 | 2023-12-20 | 2024-07-01 |
| GB/T 14847-2025 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| YS/T 1441-2021 | 掺杂型四氧化三钴 | 现行 | 2021-12-02 | 2022-04-01 |
| T/CSTM 00032-2020 | 铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列 | 现行 | 2020-08-03 | 2020-11-03 |
| T/CSTM 00036-2020 | 铈掺杂铝镓酸钆闪烁晶体 | 现行 | 2020-08-03 | 2020-11-03 |
| T/CSTM 00035-2020 | 铈掺杂硅酸钇闪烁晶体 | 现行 | 2020-08-03 | 2020-11-03 |
| YS/T 1520-2022 | 掺杂型镍钴锰酸锂 | 现行 | 2022-09-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 13389-2014 | 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| DB11/T 765.3-2010 | 档案数字化规范 第3部分：缩微胶片档案数字化加工 | 现行 | 2010-12-29 | 2011-04-01 |