| 条款编号 | 内容描述 |
|---|---|
| 3.1 | 定义“中子单粒子效应”为由高能中子撞击半导体材料导致的瞬态或永久性故障。 |
| 3.2 | 解释“大气辐射”为地球表面以上的大气层中存在的天然放射性元素释放的射线。 |
| 3.3 | 界定“集成电路”的物理和功能特性,包括其内部结构和工作原理。 |
本部分详细阐述了各基础概念,旨在为读者提供清晰、准确的理解框架,便于后续条款的应用与实施。
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 17574-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| DL/T 2813-2024 | 电力集成电路电磁兼容试验方法 | 现行 | 2024-09-24 | 2025-03-24 |
| GB 11557-2026 | 防止汽车转向机构对驾驶员伤害的规定 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2027-01-01 |