| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 006-2018 | 碳化硅混合模块测试方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 005-2018 | 6 英寸碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-01 | 2024-04-09 |