碳化硅晶片边缘轮廓检验方法

Test methods for edge contour of silicon carbide wafers

T/IAWBS 021-2024制造业

现行

更新日期:2026-09-12

标准状态

发布日期

2024-04-01

实施日期

2024-04-09

基础信息

标准号

T/IAWBS 021-2024

包含专利

是

标准分类

中国标准分类号

H80/84

国际标准分类号

29.020

标准层级

团体标准

主要技术内容

本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓(包含切口)的检验方法。本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓(包含切口),其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司

起草人

佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、郑红军、蔡丽艳

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