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| GB/T 6588-2000 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2000-10-17 | 2001-10-01 |
| GB/T 6589-2002 | 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| JB/T 7624-2013 | 整流二极管测试方法 | 现行 | 2013-04-25 | 2013-09-01 |
| JB/T 8949.1-2013 | 普通整流管 第1部分：螺栓形器件 | 现行 | 2013-04-25 | 2013-09-01 |
| JB/T 8949.2-2013 | 普通整流管 第2部分：平板形器件 | 现行 | 2013-04-25 | 2013-09-01 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| SJ/T 11845.3-2022 | 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分：二极管 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| DB52/T 860-2013 | 5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范 | 废止 | 2013-12-06 | 2014-02-01 |
| DB52/T 861-2013 | 2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范 | 废止 | 2013-12-06 | 2014-02-01 |
| JB/T 5836.1-2025 | 快恢复二极管 第1部分：单管 | 现行 | 2025-07-02 | 2026-02-01 |
| GB/T 4023.3-2026 | 半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
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