Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/JSSES 13-2021 | 电子器件制造行业用稀释剂再生液 | 现行 | 2021-06-23 | 2021-07-23 |
| T/JSSES 12-2021 | 电池制造、电子器件制造行业用异丙醇再生液 | 现行 | 2021-06-22 | 2021-07-23 |
| YD/T 2342-2011 | 通信用光电子器件可靠性试验方法 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-02-01 |
| SJ/T 11030-2015 | 电子器件用金铜及金镍纤料中杂质 铅、锌、磷的ICP-AES测定方法 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11018-2016 | 电子器件用纯银钎料的分析方法 燃烧碘量法测定硫 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11028-2015 | 电子器件用金铜钎料的分析方法 EDTA容量法测定铜 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 10754-2015 | 电子器件用金、银及其合金钎料分析方法 清洁性、溅散性的测定 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 3233-2008 | 真空电子器件电子枪支架玻杆 | 现行 | 2008-03-10 | 2008-03-10 |
| SJ/T 11029-2015 | 电子器件用金镍纤料的分析方法 EDTA容量法测定镍 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 10753-2015 | 电子器件用金、银及其合金钎料 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11011-2015 | 电子器件用纯银纤料中杂质含量铅、铋、锌、镉、铁、镁、铝、锡、锑、磷的ICP-AES测定方法 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| JB/T 8634-1997 | 湿热带型装有电子器件的电控设备 | 废止 | 1997-09-05 | 1998-01-01 |
| YD/T 6449-2025 | 通信用非气密光电子器件可靠性试验方法 | 现行 | 2025-07-02 | 2025-11-01 |
| T/HNNMIA 1-2022 | 电子器件用无氧铜棒材 | 现行 | 2022-01-25 | 2022-01-25 |
| GB/Z 37977.54-2026 | 静电学 第5-4部分：电子器件的静电防护 符合性验证 | 现行 | 2026-04-30 | |
| GB/T 34954.1-2026 | 航空电子过程管理 电子器件使用性能 第1部分：温度升额 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 37977.53-2026 | 静电学 第5-3部分：电子器件的静电防护 静电放电敏感器件的包装性能和要求分类 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2026-12-01 |
| GB/T 5839-1986 | 电子管和半导体器件额定值制 | 现行 | 1986-01-29 | 1986-12-01 |