Electrostatic discharge susceptibility test for bypass diode applied in photovoltaic modules
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 4023.3-2026 | 半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| JB/T 5836.2-2026 | 快恢复二极管第2部分：模块 | 即将实施 | 2026-02-13 | 2026-09-01 |
| GB/T 47713-2026 | 普通照明用柔性有机发光二极管（OLED）面板 性能规范 | 即将实施 | 2026-05-25 | 2026-12-01 |
| SJ/T 11461.4.1-2025 | 有机发光二极管显示器件 第4-1部分：用于屏下摄像的显示模块详细规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 11624-2025 | 发光二极管(LED)显示屏用发光二极管规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12069-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12071-2025 | 半导体器件 分立器件碳化硅二极管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| DL/T 2555.4-2023 | 配电线路旁路作业工具装备 第4部分：移动箱变车 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-06-28 |
| DL/T 2124-2020 | 电站汽轮机旁路阀选型导则 | 现行 | 2020-10-23 | 2021-02-01 |
| DL/T 2555.7-2023 | 配电线路旁路作业工具装备 第7部分：辅助工具 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-06-28 |
| DL/T 2492-2022 | 电站汽轮机旁路阀订货与验收导则 | 现行 | 2022-05-13 | 2022-11-13 |
| DL／T 2555.2-2023 | 配电线路旁路作业工具装备 第2部分：旁路开关 | 现行 | 2023-05-26 | 2023-11-26 |
| DL/T 2836-2024 | 脱硫废水高温烟气旁路蒸发装置性能试验技术规范 | 现行 | 2024-12-25 | 2025-06-25 |
| HB 8621-2021 | 航空用聚合物基复合材料层合板挤压/旁路响应试验方法 | 现行 | 2021-04-19 | 2021-07-01 |
| DL/T 2555.6-2023 | 配电线路旁路作业工具装备 第6部分：移动开关车 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-06-28 |