Electrostatic discharge susceptibility test for bypass diode applied in photovoltaic modules
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB 5841-1991 | ZH系列200A以上管壳额定高压整流二极管 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| JB 5837-1991 | ZP系列2000A以上管壳额定整流二极管 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| JB 5836-1991 | ZK系列5A以上管壳额定快恢复整流二极管 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| GB/T 15649-1995 | 半导体激光二极管空白详细规范 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| CJ/T 361-2011 | 水景用发光二极管（LED）灯 | 现行 | 2011-03-04 | 2011-08-01 |
| QC/T 706-2004 | 机动车用硅雪崩整流二极管技术条件 | 现行 | 2004-02-10 | 2004-08-01 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 20871.63-2021 | 有机发光二极管显示器件 第6-3部分：图像质量测试方法 | 现行 | 2021-11-26 | 2022-06-01 |
| GB/T 20871.62-2025 | 有机发光二极管显示器件 第6-2部分：测试方法 视觉质量和亮室性能 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-12-01 |
| SJ/T 11845.3-2022 | 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分：二极管 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10031-1991 | 电流调整二极管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 11767-2020 | 二极管低频噪声参数测试方法 | 现行 | 2020-12-09 | 2021-04-01 |
| SJ/T 11868-2022 | 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11867-2022 | 硅衬底蓝光小功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11869-2022 | 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10062-1991 | 2K4型硅微带PIN开关二极管 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 10063-1991 | BT62型硅PIN开关二极管 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |