GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices
即将实施
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YS/T 24-1992 | 外延钉缺陷的检验方法 | 废止 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| YS/T 23-1992 | 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法 | 废止 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| YS/T 15-1991 | 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法 | 废止 | 1991-04-26 | 1992-06-01 |
| YS/T 14-1991 | 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法 | 废止 | 1991-04-26 | 1992-06-01 |
| DB13/T 5118-2019 | 4H 碳化硅 N 型同质外延片通用技术要求 | 废止 | 2019-11-28 | 2019-12-28 |
| GB/T 47901-2026 | 激光器外延芯片用砷化镓衬底 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 14142-1993 | 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 | 废止 | 1993-02-06 | 1993-10-01 |
| GB/T 14139-2009 | 硅外延片 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 14146-2009 | 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 14863-2013 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 | 废止 | 2013-12-31 | 2014-08-15 |
| GB/T 30652-2014 | 硅外延用三氯氢硅 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 47917-2026 | 300mm硅外延片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 1745-2025 | 分子束外延（MBE）用高纯铝源 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |