4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
现行
2018-11-20
2018-11-20
SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底，为了制造n沟道IGBT器件材料，需要使用反转型n沟道IGBT器件结构，制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比，p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底，即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料，正是该p+型漂移层，使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能。
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孙国胜、李锡光、杨霏、柏松、李诚瞻、高玉强、许恒宇、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
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| T/CASAS 001-2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 现行 | 2018-09-21 | 2018-09-21 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |