主要技术内容
本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy
现行
2022-12-31
2023-01-31
T/CIE 145-2022
中国电子学会
否
31.080.01 半导体器分立件综合
I659 其他信息技术服务业
团体标准
本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学
彭超、雷志锋、何玉娟、张战刚、肖庆中、来萍、黄云、李兴冀、杨剑群、徐晓东
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 32281-2015 | 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2015-12-10 | 2017-01-01 |
| DB13/T 1314-2010 | 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片 | 现行 | 2010-11-15 | 2010-11-25 |
| GB/T 37051-2018 | 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-04-01 |
| T/QGCML 1384-2023 | 抗老化户外网布 | 现行 | 2023-09-12 | 2023-09-27 |