主要技术内容
半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。
Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
现行
2019-11-25
2019-11-25
T/CASAS 010-2019
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
否
31.080.01 半导体器分立件综合
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。
北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、深圳第三代半导体研究院、中国科学院苏州纳米所、北京大学、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、济南力冠电子科技有限公司
齐俊杰、魏学成、胡超胜、李志超、卫喆、张志国、张凯、田飞飞、许福军、郑永生、郭艳敏、王锡铭、宋德鹏、李晋闽
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/AHEPI 0001-2023 | 痕量气体排放天空地一体化超光谱遥感溯源技术指南 | 现行 | 2023-05-25 | 2023-06-25 |
| T/AHEPI 0002-2023 | 痕量气体超光谱靶向成像遥感监测技术指南 | 现行 | 2023-05-25 | 2023-06-25 |
| GB/T 12737-2008 | 工业用化工产品中以硫酸根表示的痕量硫化合物测定的通用方法 还原和滴定法 | 现行 | 2008-04-01 | 2008-09-01 |
| GB/T 28191-2011 | 表面活性剂 洗涤剂 对酸解稳定的阴离子活性物 痕量的测定 | 现行 | 2011-12-30 | 2012-09-01 |
| SH/T 1820-2018 | 工业芳烃 痕量硫的测定 紫外荧光法 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-09-01 |
| JC/T 2147-2012 | 高纯氧化铝的痕量金属元素等离子体发射光谱检测方法 | 现行 | 2012-12-28 | 2013-06-01 |
| DL/T 301-2011 | 发电厂水汽中痕量阳离子的测定 离子色谱法 | 现行 | 2011-07-08 | 2011-11-01 |
| DL/T 386-2010 | 二阶微分火焰光谱痕量钠分析仪检验规程 | 现行 | 2010-05-24 | 2010-10-01 |
| HY/T 0344-2022 | 海水中痕量活性磷酸盐的测定 流动分析—磷钼蓝固相萃取—分光光度法 | 现行 | 2022-09-26 | 2023-01-01 |
| GB/T 38485-2021 | 微生物痕量基因残留测定 微滴数字PCR法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 42274-2022 | 氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| SN/T 4022-2014 | 进出口纺织品 可萃取痕量铅的测定 纳米二氧化钛富集-电感耦合等离子体发射光谱法 | 现行 | 2014-04-09 | 2014-11-01 |
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| SN/T 3974-2014 | 电镀产品中痕量六价铬的测定柱后衍生离子色谱法 | 现行 | 2014-07-14 | 2015-03-01 |
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| GB/T 40394-2021 | 工业用甲醇中痕量三甲胺含量的测定 气相色谱质谱联用法 | 现行 | 2021-08-20 | 2022-03-01 |
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| SH/T 1769-2025 | 工业用乙烯、丙烯 痕量硫化物的测定 气相色谱法 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
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