主要技术内容
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价;此烧结体不包含烧结件的被连接件(如芯片)、连接基体。本方法适用于直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的微纳米金属烧结体圆形样品体积电阻率的测试,不适用于薄膜样品方块电阻的测试。
Test method for resistivity of micro and nano metal sintered compact: four probe method
现行
2021-11-01
2021-12-01
T/CASAS 019-2021
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
否
31.080.01 半导体器分立件综合
C397 电子器件制造
团体标准
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。 本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价;此烧结体不包含烧结件的被连接件(如芯片)、连接基体。 本方法适用于直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的微纳米金属烧结体圆形样品体积电阻率的测试,不适用于薄膜样品方块电阻的测试。
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价;此烧结体不包含烧结件的被连接件(如芯片)、连接基体。本方法适用于直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的微纳米金属烧结体圆形样品体积电阻率的测试,不适用于薄膜样品方块电阻的测试。
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张国旗,叶怀宇、刘旭、张靖、张敬国、赵朝晖、梁明会、刘洋、王可、唐宏浩、周斌、樊嘉杰、刘盼、张凯、王来利、田天成、赵璐冰、高伟
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
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| SJ/T 10314-1992 | 直流四探针电阻率测试通用技术条件 | 现行 | 1992-06-15 | 1992-12-01 |
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