200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片

200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer

T/NXCL 016-2022制造业

现行

更新日期:2026-03-30

标准状态

发布日期

2022-12-02

实施日期

2022-12-02

基础信息

标准号

T/NXCL 016-2022

包含专利

否

标准分类

国际标准分类号

29.045

标准层级

团体标准

主要技术内容

本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属(铁)含量、直径晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体(微小颗粒沾污)和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验。

起草单位

宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司

起草人

芮阳、商润龙、王黎光、伊冉、曹启刚、杨少林、熊欢、王忠宝、马成、周文辉、马吟霜、魏兴彤、张昆、盛之林、张友海、顾燕滨、黄柳青、范占军

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