主要技术内容
本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片。
300 mmlow oxygen content single crystaline Czochralski silicon polished wafers
现行
2024-02-06
2024-02-06
本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片。
本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片。
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/NXCL 30-2024 | 300 mm低氧含量直拉硅单晶 | 现行 | 2024-02-06 | 2024-02-06 |
| DB12/ 046.101-2011 | 产品单位产量综合能耗计算方法及限额 第101部分:低氧铜杆 | 废止 | 2011-12-08 | 2012-01-01 |
| DB12/T 101.172-2003 | 工业产品取水定额 低氧圆铜杆 | 废止 | 2003-09-03 | 2003-09-03 |
| DB34/T 2455-2015 | 智能化低氧呼吸训练系统 | 废止 | 2015-08-31 | 2015-09-30 |
| T/NXCL 29-2024 | 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2024-02-06 | 2024-02-06 |
| T/NXCL 30-2024 | 300 mm低氧含量直拉硅单晶 | 现行 | 2024-02-06 | 2024-02-06 |
| T/ABPCAC 3-2026 | 纸质文献低氧气调杀虫技术规范 | 现行 | 2026-01-20 | 2026-03-01 |
| DB22/T 3633-2024 | 直播水稻萌发期耐低温和耐低氧性鉴定评价技术规程 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-06-01 |