300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片

300 mmlow oxygen content single crystaline Czochralski silicon polished wafers

T/NXCL 29-2024制造业

现行

更新日期:2026-03-29

标准状态

发布日期

2024-02-06

实施日期

2024-02-06

基础信息

标准号

T/NXCL 29-2024

包含专利

否

标准分类

国际标准分类号

29.045

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片。

主要技术内容

本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片。

起草单位

宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司

起草人

王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺

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