主要技术内容
本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底。
300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon
现行
2024-02-06
2024-02-06
本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底。
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
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| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
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| T/NXCL 30-2024 | 300 mm低氧含量直拉硅单晶 | 现行 | 2024-02-06 | 2024-02-06 |
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