Nanotechnology—Contacting methods for measuring the resistivity of nanomaterials—General rules
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 40007-2021 | 纳米技术纳米材料电阻率的接触式测量方法通则 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 41232.3-2023 | 纳米制造 关键控制特性 纳米储能 第3部分：纳米材料接触电阻率和涂层电阻率的测试 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 39978-2021 | 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| T/CASAS 019-2021 | 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 6616-2023 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| SJ/T 10481-1994 | 硅外延层电阻率的面接触三探针方法 | 现行 | 1994-04-11 | 1994-10-01 |
| T/CPIA 0051-2023 | 晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法 传输线模型法（TLM） | 现行 | 2023-10-15 | 2023-10-30 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 6616-2009 | 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 4192-1984 | 电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法 | 现行 | 1984-03-09 | 1984-11-01 |
| GB/T 24525-2009 | 炭素材料电阻率测定方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-05-01 |
| GB/T 5594.5-1985 | 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法 | 现行 | 1985-11-27 | 1986-12-01 |
| GB/T 5654-2007 | 液体绝缘材料 相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量 | 现行 | 2007-12-03 | 2008-05-20 |