| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 21944.4-2009 | 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第4部分：烧嘴套 | 废止 | 2009-04-23 | 2009-12-01 |
| GB/T 21944.2-2009 | 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第2部分：异型梁 | 废止 | 2009-04-23 | 2009-12-01 |
| GB/T 30656-2014 | 碳化硅单晶抛光片 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| T/SAS 0008-2020 | 轻量化碳化硅反射镜 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/SAS 0009-2020 | 轻量化碳化硅反射镜镜坯 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| T/CFA 0202050104-2-2016 | 铸造熔炼用碳化硅 技术条件 | 现行 | 2016-11-08 | 2017-01-31 |
| T/CASAS 007-2020 | 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 | 现行 | 2020-05-25 | 2020-05-25 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/CASAS 001-2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 现行 | 2018-09-21 | 2018-09-21 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 009-2019 | 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2019-11-25 | 2019-11-25 |
| T/IAWBS 006-2018 | 碳化硅混合模块测试方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |