Special products of silicon carbide—Kiln furniture of reaction bonded silicon carbide—Part 2: Special shapebeams
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 37254-2018 | 高纯碳化硅 微量元素的测定 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-09-01 |
| GB/T 34520.1-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第1部分：束丝上浆率 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 10195.1-1997 | 电子设备用压敏电阻器 第2部分:空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器 评定水平E | 现行 | 1997-12-09 | 1998-09-01 |
| GB/T 43760-2024 | 低氧高碳型连续碳化硅纤维 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 34520.3-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第3部分：线密度和密度 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 34520.4-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第4部分：束丝拉伸性能 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| JB/T 5204-2018 | 碳化硅脱氧剂化学分析方法 | 现行 | 2018-12-21 | 2019-10-01 |
| JB/T 6374-2020 | 机械密封用碳化硅密封环 技术条件 | 现行 | 2020-08-31 | 2021-04-01 |
| JB/T 4035-1999 | 阀式避雷器用碳化硅技术条件 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| GB/T 34520.5-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第5部分：单纤维拉伸性能 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| JB 5204-1991 | 碳化硅脱氧剂化学分析方法 | 现行 | 1991-06-22 | 1992-07-01 |
| GB/T 3045-2024 | 普通磨料 碳化硅化学分析方法 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |