| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11499-2015 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 | 废止 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| JB/T 5203-2012 | 单晶刚玉 化学分析方法 | 废止 | 2012-05-24 | 2012-11-01 |
| GB/T 9532-1988 | 铌酸锂、钽酸锂、锗酸铋、硅酸铋压电单晶材料型号命名方法 | 废止 | 1988-06-28 | 1989-02-01 |
| GB/T 8760-2006 | 砷化镓单晶位错密度的测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 5252-2006 | 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 22453-2008 | 硼酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法 | 废止 | 2008-10-07 | 2009-04-01 |
| GB/T 24581-2009 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 11297.6-1989 | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| GB/T 11297.7-1989 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/CECA 83-2023 | 钽酸锂和铌酸锂还原单晶晶片 明度和色差技术要求及测量方法 | 现行 | 2023-06-13 | 2023-06-20 |
| GB/T 30118-2026 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片 规范与测量方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 12964-2018 | 硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 26069-2022 | 硅单晶退火片 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 32282-2015 | 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |