| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB 5203-1991 | 单晶刚玉化学分析方法 | 现行 | 1991-06-22 | 1992-07-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 41751-2022 | 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-02-01 |
| GB/T 17170-2015 | 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| SJ/T 10625-1995 | 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法 | 现行 | 1995-04-22 | 1995-10-01 |
| SJ/T 11207-1999 | 钇铁石榴石单晶磁性薄膜磁特性的测量方法 | 现行 | 1999-08-26 | 1999-12-01 |
| GB/T 32188-2015 | 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| GB/T 46227-2025 | 半导体单晶材料透过率测试方法 | 即将实施 | 2025-08-29 | 2026-03-01 |
| GB/T 5252-2020 | 锗单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-06-02 | 2021-05-01 |
| JB/T 5203-2023 | 单晶刚玉化学分析方法 | 现行 | 2023-12-29 | 2024-07-01 |
| GB/T 26074-2010 | 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 8760-2020 | 砷化镓单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-09-29 | 2021-08-01 |
| GB/T 18032-2000 | 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 | 现行 | 2000-04-03 | 2000-09-01 |
| GB/T 47080-2026 | 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |