| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CSTM 01199-2024 | 多层金属薄膜 层结构测量分析方法 X射线光电子能谱 | 现行 | 2024-01-05 | 2024-04-05 |
| SJ/T 11591.4.1.1-2016 | 立体显示器件 第4-1-1部分：眼镜式立体显示器件测量方法-光学和光电 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 2658.16-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11405-2009 | 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11591.4.2.1-2016 | 立体显示器件 第4-2-1部分：自由立体显示器件测量方法—光学和光电 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| JB/T 5531-2007 | 静电复印硒鼓 光电性能测量方法 | 废止 | 2007-10-08 | 2008-03-01 |
| QB/T 2053-1994 | 荧光高压汞灯泡光电参数测量方法 | 废止 | 1995-01-05 | 1995-08-01 |
| JB/T 5531-1991 | 静电复印硒鼓光电性能测量方法 | 废止 | 1991-07-16 | 1992-07-01 |
| JB/T 9478.12-1999 | 光电池测量方法 反向击穿电压 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.11-1999 | 光电池测量方法 结电容 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.10-1999 | 光电池测量方法 上升时间、下降时间 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.9-1999 | 光电池测量方法 光谱响应特性 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.8-1999 | 光电池测量方法 光谱灵敏度 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.7-1999 | 光电池测量方法 暗电流温度特性 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.6-1999 | 光电池测量方法 暗电流 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.5-1999 | 光电池测量方法 积分灵敏度 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.4-1999 | 光电池测量方法 照度-电流特性 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 9478.3-1999 | 光电池测量方法 光电转换效率 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |