Reliability for low-voltage apparatus—Part 1: General rules
即将实施
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/ZMDS 10010-2019 | 医用电子直线加速器可靠性试验与评价方法 第6部分：调制器加速试验与可靠性快速评价方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| T/ZMDS 10005-2019 | 医用电子直线加速器可靠性试验与评价方法 第1部分：整机可用性评价方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| T/ZMDS 10006-2019 | 医用电子直线加速器可靠性试验与评价方法 第2部分：电子枪电源可靠性指标验证方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| T/ZMDS 10007-2019 | 医用电子直线加速器可靠性试验与评价方法 第3部分：电气设备可靠性强化试验方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| T/ZMDS 10008-2019 | 医用电子直线加速器可靠性试验与评价方法 第4部分：电气设备定量加速试验与快速评价方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| T/ZMDS 10009-2019 | 医用电子直线加速器可靠性试验与评价方法 第5部分：加速管加速试验与寿命快速评价方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| JB/T 5135.3-2025 | 通用汽油机 第3部分：可靠性、耐久性试验与评定方法 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-11-01 |
| YD/T 2576.1-2013 | TD-LTE数字蜂窝移动通信网 终端设备测试方法（第一阶段） 第1部分：基本功能、业务和可靠性测试 | 现行 | 2013-07-22 | 2013-07-22 |
| YD/T 4676.4-2025 | 粒子辐射对电信系统及设备的影响 第4部分：受粒子辐射影响的电信设备的可靠性要求 | 现行 | 2025-12-17 | 2026-04-01 |
| GB/T 4937.41-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| T/CAB 0076-2020 | 智能家电物联网性能测试方法 第2部分：无线通讯可靠性 | 现行 | 2020-11-26 | 2020-12-26 |
| T/GDEIIA 13-2021 | 基于数字仿真的可靠性测试方法 第4部分：机电系统综合评价方法 | 现行 | 2021-11-12 | 2021-11-13 |
| T/ZJBDT 001.4-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第4部分：阻变存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.3-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第3部分：相变存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.2-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第2部分：磁随机存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.1-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第1部分：总则 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |