| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11624-2025 | 发光二极管(LED)显示屏用发光二极管规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 23729-2009 | 闪烁探测器用光电二极管 试验方法 | 现行 | 2009-05-06 | 2009-12-01 |
| GB/T 30241.2-2013 | 齐纳二极管安全栅 第2部分：性能评定方法 | 现行 | 2013-12-31 | 2014-07-01 |
| JB/T 7624-2013 | 整流二极管测试方法 | 现行 | 2013-04-25 | 2013-09-01 |
| SJ/T 11845.3-2022 | 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分：二极管 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11767-2020 | 二极管低频噪声参数测试方法 | 现行 | 2020-12-09 | 2021-04-01 |
| SJ/T 11818.1-2022 | 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 2214-2015 | 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.5-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.10-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.4-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.7-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.2-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.1-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2354-2015 | ＰＩＮ、雪崩光电二极管测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.8-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |