Reliability of low-voltage apparatus—Part 5:Reliability test method of residual current operated circuit-breaker for household and similar uses
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YD/T 4676.4-2025 | 粒子辐射对电信系统及设备的影响 第4部分：受粒子辐射影响的电信设备的可靠性要求 | 现行 | 2025-12-17 | 2026-04-01 |
| GB/T 4937.41-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| T/CAB 0076-2020 | 智能家电物联网性能测试方法 第2部分：无线通讯可靠性 | 现行 | 2020-11-26 | 2020-12-26 |
| T/GDEIIA 13-2021 | 基于数字仿真的可靠性测试方法 第4部分：机电系统综合评价方法 | 现行 | 2021-11-12 | 2021-11-13 |
| T/ZJBDT 001.4-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第4部分：阻变存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.3-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第3部分：相变存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.2-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第2部分：磁随机存储芯片测试 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| T/ZJBDT 001.1-2025 | 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第1部分：总则 | 现行 | 2025-01-10 | 2025-01-10 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 13426-1992 | 数字通信设备的可靠性要求和试验方法 | 现行 | 1992-03-10 | 1992-12-01 |
| NB/T 20642-2023 | 核电厂人员可靠性分析导则 | 现行 | 2023-05-26 | 2023-11-26 |
| GB/T 30093-2013 | 自动化控制系统可靠性技术评审程序 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-01 |
| HB 8578-2020 | 民用飞机运行可靠性数据采集及管理要求 | 现行 | 2020-09-14 | 2021-01-01 |
| GB/T 41392-2022 | 数字化车间可靠性通用要求 | 现行 | 2022-04-15 | 2022-11-01 |
| YD/T 4875-2024 | 可穿戴式设备安全可靠性技术规范 腕戴式设备 | 现行 | 2024-07-05 | 2024-10-01 |
| NB/T 10926-2022 | 风力发电机组 液压变桨控制系统可靠性 技术规范 | 现行 | 2022-05-13 | 2022-11-13 |
| GB/T 36362-2018 | LED应用产品可靠性试验的点估计和区间估计（指数分布） | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |