Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 21944.3-2008 | 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第3部分：辊棒 | 废止 | 2008-06-03 | 2009-01-01 |
| GB/T 21944.1-2008 | 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第1部分：方梁 | 废止 | 2008-06-03 | 2009-01-01 |
| GB/T 7327-2008 | 交流系统用碳化硅阀式避雷器 | 废止 | 2008-06-18 | 2009-03-01 |
| GB/T 16555-2008 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 废止 | 2008-06-26 | 2009-04-01 |
| GB/T 21944.4-2009 | 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第4部分：烧嘴套 | 废止 | 2009-04-23 | 2009-12-01 |
| GB/T 21944.2-2009 | 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第2部分：异型梁 | 废止 | 2009-04-23 | 2009-12-01 |
| GB/T 30656-2014 | 碳化硅单晶抛光片 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 3045-2017 | 普通磨料 碳化硅化学分析方法 | 废止 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| T/SAS 0008-2020 | 轻量化碳化硅反射镜 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/SAS 0009-2020 | 轻量化碳化硅反射镜镜坯 | 现行 | 2020-11-20 | 2021-01-01 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| T/CFA 0202050104-2-2016 | 铸造熔炼用碳化硅 技术条件 | 现行 | 2016-11-08 | 2017-01-31 |
| T/CASAS 007-2020 | 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 | 现行 | 2020-05-25 | 2020-05-25 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/CASAS 001-2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 现行 | 2018-09-21 | 2018-09-21 |
| T/CASAS 009-2019 | 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2019-11-25 | 2019-11-25 |