Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YB/T 4167-2026 | 烧成铝碳化硅砖 | 即将实施 | 2026-04-16 | 2026-11-01 |
| JB/T 15530-2026 | 碳化硅特种制品重结晶碳化硅辊棒 | 即将实施 | 2026-04-28 | 2026-11-02 |
| HG/T 6465-2026 | 非金属化工设备 碳化硅换热部件 | 即将实施 | 2026-04-16 | 2026-11-01 |
| SJ/T 12015-2025 | 碳化硅颗粒铝合金基复合板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12071-2025 | 半导体器件 分立器件碳化硅二极管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 30654-2014 | Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30655-2014 | 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30653-2014 | Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| SJ/T 11471-2014 | 发光二极管外延片测试方法 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| DB63/T 1612-2017 | 含碳酸盐型石墨矿中固定碳化学分析方法硝酸处理高频红外碳硫仪法 | 现行 | 2017-12-18 | 2018-03-01 |
| T/CSTM 00660.1-2023 | 碳化钛渣化学分析方法 第1部分：游离碳含量的测定 高频燃烧红外吸收法 | 现行 | 2023-04-21 | 2023-07-21 |
| YS/T 423.5-2025 | 核级碳化硼化学分析方法 第5 部分：氧含量的测定 脉冲加热惰气熔融-红外吸收法 | 现行 | 2025-08-19 | 2026-03-01 |