半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
GB/T 29332-2012 相似标准 第14页
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB/T 8175-1999 | 电力半导体器件用型材散热体外形尺寸 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 10096-2000 | 电力半导体器件用管壳选用导则 | 废止 | 2000-04-24 | 2000-10-01 |
| JB/T 2423-1999 | 电力半导体器件型号编制方法 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 4219-1999 | 电力半导体器件测试设备型号命名方法 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 5842-2005 | 电力半导体器件用管心定位环 | 现行 | 2005-03-19 | 2005-09-01 |
| JB/T 7621-1994 | 电力半导体器件工艺用高纯水 | 现行 | 1994-12-09 | 1995-06-01 |
| JB/T 10501-2005 | 电力半导体器件用管壳瓷件 | 废止 | 2005-03-19 | 2005-09-01 |
| JB/T 9687.1-1999 | 电力半导体器件用钼圆片 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 5843-2005 | 电力半导体器件用接插件 | 现行 | 2005-03-19 | 2005-09-01 |
| JB/T 5835-2005 | 电力半导体器件用门极组合件 | 现行 | 2005-03-19 | 2005-09-01 |
| JB/T 8320-1996 | 电力半导体器件工艺用涂层石英玻璃管 | 现行 | 1996-04-11 | 1996-10-01 |
| JB/T 10097-2000 | 电力半导体器件用管壳 | 废止 | 2000-04-24 | 2000-10-01 |
| JB/T 7622-1994 | 电力半导体器件工艺用有机硅漆 | 现行 | 1994-12-09 | 1995-06-01 |
| JB/T 8757-1998 | 电力半导体器件用热管散热器 | 废止 | 1998-05-26 | 1998-12-01 |
| JB/T 9684-2000 | 电力半导体器件用散热器选用导则 | 废止 | 2000-04-24 | 2000-10-01 |
| JB/T 9687.2-1999 | 电力半导体器件用钨圆片 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| GB/T 41853-2022 | 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| GB/T 41852-2022 | 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |