半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

GB/T 29332-2012推荐性国家标准

现行

解读预览
上传时间:2026-02-23
总页数:56页
格式:pdf
GB/T 29332-2012预览图

GB/T 29332-2012 相似标准 第4页

标准号标准名称状态发布日期实施日期
SJ/T 1486-2016半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 11874-2022电动汽车用半导体分立器件应力试验程序现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 1472-2016半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 1838-2016半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 1832-2016半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 1477-2016半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 1830-2016半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 1839-2016半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 1831-2016半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
GZB 6-25-02-06半导体分立器件和集成电路装调工现行2019-01-142019-01-14
DB61/T 1250-2019Sic(碳化硅)材料半导体分立器件通用规范废止2019-06-252019-07-25
GB/T 249-1989半导体分立器件型号命名方法废止1989-03-181990-04-01
SJ/T 12032-2025半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法现行2025-09-092026-03-01
SJ/T 12067-2025半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范现行2025-12-192026-07-01
SJ/T 12068-2025半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法现行2025-12-192026-07-01
SJ/T 12069-2025半导体器件分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法现行2025-12-192026-07-01
SJ/T 12070-2025半导体器件分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法现行2025-12-192026-07-01
SJ/T 12071-2025半导体器件分立器件碳化硅二极管门类规范现行2025-12-192026-07-01