Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11874-2022 | 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 1472-2016 | 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1838-2016 | 半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1830-2016 | 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1839-2016 | 半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1831-2016 | 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GZB 6-25-02-06 | 半导体分立器件和集成电路装调工 | 现行 | 2019-01-14 | 2019-01-14 |
| DB61/T 1250-2019 | Sic(碳化硅)材料半导体分立器件通用规范 | 废止 | 2019-06-25 | 2019-07-25 |
| GB/T 249-1989 | 半导体分立器件型号命名方法 | 废止 | 1989-03-18 | 1990-04-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12069-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12071-2025 | 半导体器件分立器件碳化硅二极管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |