现行
2022-10-20
2023-01-01
SJ/T 11874-2022
工业和信息化部
制定
L40
31.08
方法标准
电子
行业标准
94277-2024
2024-05-31
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/ZZB 1718-2023 | 半导体封装用键合金丝 | 现行 | 2024-11-14 | 2024-12-14 |
| GB/T 30116-2013 | 半导体生产设施电磁兼容性要求 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-04-15 |
| JC/T 597-2011 | 半导体用透明石英玻璃管 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-07-01 |
| SJ/T 2749-2016 | 半导体激光二极管测试方法 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 1555-2023 | 半导体单晶晶向测定方法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| JB/T 7062-1993 | 半导体变流器联结的标志代号 | 现行 | 1993-10-08 | 1994-01-01 |
| T/SZBSIA 006-2022 | IC类半导体固晶机技术规范 | 现行 | 2022-09-23 | 2022-09-24 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 4728.5-2018 | 电气简图用图形符号 第5部分:半导体管和电子管 | 现行 | 2018-07-13 | 2019-02-01 |
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11820-2022 | 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 2215-2015 | 半导体光电耦合器测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
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