Semiconductor devices—Discrete devices—Part 5-4:Optoelectronic devices—Semiconductor lasers
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 44181-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件在轨单粒子翻转率预计方法 | 现行 | 2024-07-24 | 2024-07-24 |
| GB/T 2900.66-2004 | 电工术语 半导体器件和集成电路 | 现行 | 2004-05-10 | 2004-12-01 |
| GB/T 7423.2-1987 | 半导体器件散热器 型材散热器 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 41040-2021 | 宇航用商业现货（COTS）半导体器件 质量保证要求 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 2900.32-1994 | 电工术语 电力半导体器件 | 现行 | 1994-05-16 | 1995-01-01 |
| JB/T 7061-1993 | 电力半导体器件用硅圆片 | 现行 | 1993-10-08 | 1994-01-01 |
| JB/T 8175-1999 | 电力半导体器件用型材散热体外形尺寸 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 10096-2000 | 电力半导体器件用管壳选用导则 | 废止 | 2000-04-24 | 2000-10-01 |
| JB/T 2423-1999 | 电力半导体器件型号编制方法 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 4219-1999 | 电力半导体器件测试设备型号命名方法 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 5842-2005 | 电力半导体器件用管心定位环 | 现行 | 2005-03-19 | 2005-09-01 |
| JB/T 7621-1994 | 电力半导体器件工艺用高纯水 | 现行 | 1994-12-09 | 1995-06-01 |
| JB/T 10501-2005 | 电力半导体器件用管壳瓷件 | 废止 | 2005-03-19 | 2005-09-01 |
| JB/T 9687.1-1999 | 电力半导体器件用钼圆片 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| JB/T 5843-2005 | 电力半导体器件用接插件 | 现行 | 2005-03-19 | 2005-09-01 |
| JB/T 5835-2005 | 电力半导体器件用门极组合件 | 现行 | 2005-03-19 | 2005-09-01 |
| JB/T 8320-1996 | 电力半导体器件工艺用涂层石英玻璃管 | 现行 | 1996-04-11 | 1996-10-01 |