| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 45506-2025 | 剩余电阻比测量 谐振腔级铌超导体剩余电阻比测量 | 现行 | 2025-04-25 | 2025-11-01 |
| GB/T 32514.1-2016 | 电阻焊 焊接电流的测量 第1部分：测量指南 | 现行 | 2016-02-24 | 2016-09-01 |
| GB/T 32514.4-2016 | 电阻焊 焊接电流的测量 第4部分：校准系统 | 现行 | 2016-02-24 | 2016-09-01 |
| GB/T 32514.3-2016 | 电阻焊 焊接电流的测量 第3部分：电流感应线圈 | 现行 | 2016-02-24 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11210-1999 | 石英晶体元件参数的测量 第4部分：频率达30MHz石英晶体元件负载谐振频率fL和负载谐振电阻RL的测量方法及其他导出参数的计算 | 现行 | 1999-08-26 | 1999-12-01 |
| GB/T 22264.6-2022 | 安装式数字显示电测量仪表 第6部分：绝缘电阻表的特殊要求 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-07-01 |
| GB/T 11073-2007 | 硅片径向电阻率变化的测量方法 | 废止 | 2007-09-11 | 2008-02-01 |
| GB/T 40007-2021 | 纳米技术 纳米材料电阻率的接触式测量方法 通则 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 12968-1991 | 纯金属电阻率与剩余电阻比涡流衰减测量方法 | 现行 | 1991-06-04 | 1992-03-01 |
| GB/T 351-2019 | 金属材料 电阻率测量方法 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 11073-2025 | 硅片径向电阻率变化测量方法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/CPIA 0100-2024 | 光伏电池用掺杂层薄层方块电阻的测量方法 | 现行 | 2024-12-15 | 2024-12-30 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| NB/T 20338-2015 | 核电厂安全重要电阻温度计响应时间原位测量 | 现行 | 2015-04-02 | 2015-09-01 |
| SJ/T 2658.5-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| JJF 2225-2025 | 高绝缘电阻测量仪(高阻计)校准规范 | 现行 | 2025-03-27 | 2025-09-27 |