Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| HG/T 4357-2012 | 薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）用偏光片 | 现行 | 2012-11-07 | 2013-03-01 |
| DB64/T 1971-2023 | 晶体硅光伏组件回收规范 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-03-28 |
| DB63/T1781-2020 | 电站现场晶体硅太阳能电池组件隐性缺陷检测技术规范 | 现行 | 2020-04-08 | 2020-05-01 |
| YY 0290.10-2009 | 眼科光学 人工晶状体 第10部分：有晶体眼人工晶状体 | 现行 | 2009-06-16 | 2010-12-01 |
| GB/T 37051-2018 | 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-04-01 |
| GB/T 39131-2020 | 人工晶体材料术语 | 现行 | 2020-10-11 | 2021-09-01 |
| GB/T 46514-2025 | 锂离子电池正极材料检测方法 晶体结构的测定 X射线衍射法 | 即将实施 | 2025-10-05 | 2026-05-01 |
| GB/T 35316-2017 | 蓝宝石晶体缺陷图谱 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| GB/T 37240-2018 | 晶体硅光伏组件盖板玻璃透光性能测试评价方法 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| QC/T 1136-2020 | 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法 | 现行 | 2020-12-09 | 2021-04-01 |
| GB/T 6495.4-1996 | 晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 | 废止 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 18210-2000 | 晶体硅光伏(PV)方阵 I-V特性的现场测量 | 废止 | 2000-10-17 | 2001-05-01 |
| GB/T 40291-2021 | 核仪器仪表 辐射探测器用高纯度锗晶体 基本特性的测量方法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 10638-1995 | 石英晶体振荡器测试方法 | 现行 | 1995-04-22 | 1995-10-01 |
| SJ/T 11210-1999 | 石英晶体元件参数的测量 第4部分：频率达30MHz石英晶体元件负载谐振频率fL和负载谐振电阻RL的测量方法及其他导出参数的计算 | 现行 | 1999-08-26 | 1999-12-01 |
| SJ/T 10438-1993 | 双极型晶体管直流参数测试仪通用技术条件 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |