Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 42709.29-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.3-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第3部分：柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.2-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第2部分：柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.6-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分：柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.1-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第1部分：柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 15879.616-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：焊球阵列封装（BGA）、焊盘阵列封装（LGA）、密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）的半导体试验和老化插座术语表 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 20870.1-2026 | 半导体器件 第16-1部分 : 微波集成电路 放大器 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 20870.7-2026 | 半导体器件 第16-7部分：微波集成电路 衰减器 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 35007-2018 | 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1990-12-12 | 1991-10-01 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 5839-1986 | 电子管和半导体器件额定值制 | 现行 | 1986-01-29 | 1986-12-01 |
| GB/T 44181-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件在轨单粒子翻转率预计方法 | 现行 | 2024-07-24 | 2024-07-24 |
| GB/T 2900.66-2004 | 电工术语 半导体器件和集成电路 | 现行 | 2004-05-10 | 2004-12-01 |
| GB/T 7423.2-1987 | 半导体器件散热器 型材散热器 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 41040-2021 | 宇航用商业现货（COTS）半导体器件 质量保证要求 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |