Calibration Specification for Carbonization Depth Measuring Instruments and Calipers
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 12162.4-2010 | 用于校准剂量仪和剂量率仪及确定其能量响应的X和γ参考辐射 第4部分：低能X射线参考辐射场中场所和个人剂量仪的校准 | 现行 | 2011-05-01 | 找相似 |
| GB/T 12164.3-2013 | β参考辐射 第3部分：场所和个人剂量仪的校准及其能量响应和角响应的确定 | 现行 | 2014-02-01 | 找相似 |
| GB/T 12162.3-2004 | 用于校准剂量仪和剂量率仪及确定其能量响应的 X和γ参考辐射 第3部分:场所剂量仪和个人剂量计的校准及其能量响应和角响应的测定 | 废止 | 2004-06-01 | 找相似 |
| JJF 2319-2025 | 激光可调吸收光谱法天然气水含量仪校准规范 | 现行 | 2026-03-08 | 找相似 |
| GB/T 12162.3-2025 | 用于校准剂量仪和剂量率仪及确定其能量响应的X和γ参考辐射 第3部分：场所剂量仪和个人剂量计的校准及其能量响应和角响应的测定 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| GB/T 12162.2-2025 | 用于校准剂量仪和剂量率仪及确定其能量响应的X和γ参考辐射 第2部分：辐射防护用的能量范围为8 keV~1.3 MeV 和 4 MeV~9 MeV的剂量测定 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| GB/T 12162.1-2025 | 用于校准剂量仪和剂量率仪及确定其能量响应的X和γ参考辐射 第1部分：辐射特性及产生方法 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| GB/T 14055.3-2026 | 中子参考辐射 第3部分：场所剂量仪和个人剂量计的校准及其能量和角响应的确定 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-17 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-17 | —— |
| GB/T 34326-2017 | 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法 | 废止 | 2018-08-01 | 找相似 |
| GB/T 29557-2013 | 表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量 | 现行 | 2014-03-01 | 找相似 |
| GB/T 32999-2016 | 表面化学分析 深度剖析 用机械轮廓仪栅网复型法测量溅射速率 | 现行 | 2017-09-01 | 找相似 |
| T/ZOIA 30001-2022 | MEMS高深宽比结构深度测量方法 光谱反射法 | 现行 | 2022-12-29 | —— |