Photovoltaic devices—Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 10798-2000 | 电子元器件详细规范 MF11型直热式负温度系数热敏电阻器 评定水平E | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 10799-2000 | 电子元器件详细规范 MF53-1型直热式负温度系数热敏电阻器 评定水平E | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| GB/T 4937.25-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 20521.5-2025 | 半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 34954.1-2026 | 航空电子过程管理 电子器件使用性能 第1部分：温度升额 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| HB 8626-2021 | 机载温度传感器性能测试要求 静态示值误差、恢复特性、动态响应与测温偏差 | 现行 | 2021-04-19 | 2021-07-01 |
| GB/T 31967.1-2015 | 稀土永磁材料物理性能测试方法 第1部分：磁通温度特性的测定 | 现行 | 2015-09-11 | 2016-08-01 |
| GB/T 7166-2015 | 核电厂反应堆堆芯和主冷却剂回路内温度计的特性和试验方法 | 现行 | 2015-10-09 | 2016-11-01 |
| GB/T 20831-2007 | 电工钢片（带）层间绝缘涂层温度特性测试方法 | 废止 | 2007-01-11 | 2007-06-01 |
| JB/T 9478.7-2013 | 光电池测量方法 第7部分：暗电流温度特性 | 现行 | 2013-12-31 | 2014-07-01 |
| T/CSA 048-2019 | 普通照明用发光二极管变电流/温度 光电特性测试方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| JB/T 9478.7-1999 | 光电池测量方法 暗电流温度特性 | 废止 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| GB/T 11310-1989 | 压电陶瓷材料性能测试方法 相对自由介电常数温度特性的测试 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| T/CSA 048-2019 | 普通照明用发光二极管变电流/温度 光电特性测试方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| GB/T 37052-2018 | 光伏建筑一体化（BIPV）组件电池额定工作温度测试方法 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-03-01 |