| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 32996-2025 | 表面化学分析 辉光放电发射光谱法分析金属氧化物膜 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| GB/T 12690.7-2021 | 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 第7部分：硅量的测定 | 现行 | 2021-10-11 | 2022-05-01 |
| GB/T 18115.3-2006 | 稀土金属及其氧化物中稀土杂质化学分析方法 镨中镧、铈、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和钇量的测定 | 现行 | 2006-04-13 | 2006-10-01 |
| GB/T 12690.17-2010 | 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 第17部分：稀土金属中铌、钽量的测定 | 现行 | 2011-01-14 | 2011-11-01 |
| JT/T 1149-2017 | 道路沥青用层状复合金属氢氧化物耐紫外光老化剂 | 现行 | 2017-07-04 | 2017-11-01 |
| GB/T 18115.5-2006 | 稀土金属及其氧化物中稀土杂质化学分析方法 钐中镧、铈、镨、钕、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和钇量的测定 | 现行 | 2006-04-13 | 2006-10-01 |
| GB/T 34869-2017 | 串联补偿装置电容器组保护用金属氧化物限压器 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| NB/T 42152-2018 | 非线性金属氧化物电阻片通用技术要求 | 现行 | 2018-04-03 | 2018-07-01 |
| GB/T 18115.14-2010 | 稀土金属及其氧化物中稀土杂质化学分析方法 第14部分：镱中镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥和钇量的测定 | 现行 | 2011-01-14 | 2011-11-01 |
| GB/T 12690.10-2003 | 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 磷量的测定 钼蓝分光光度法 | 现行 | 2003-11-18 | 2004-06-01 |
| GB/T 18115.13-2010 | 稀土金属及其氧化物中稀土杂质化学分析方法 第13部分：铥中镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、镱、镥和钇量的测定 | 现行 | 2011-01-14 | 2011-11-01 |
| GB/T 12690.12-2024 | 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质 化学分析方法 第12部分：钍、铀量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 12690.3-2015 | 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 第3部分：稀土氧化物中水分量的测定 重量法 | 现行 | 2015-09-11 | 2016-04-01 |
| GB/T 18115.2-2020 | 稀土金属及其氧化物中稀土杂质化学分析方法 第2部分：铈中镧、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和钇量的测定 | 现行 | 2020-11-19 | 2021-10-01 |
| GB/T 18115.4-2021 | 稀土金属及其氧化物中稀土杂质化学分析方法 第4部分：钕中镧、铈、镨、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和钇量的测定 | 现行 | 2021-10-11 | 2022-05-01 |