主要技术内容
本文件规定了介质平板材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的分离式圆柱谐振腔法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、计算公式、注意事项和试验报告等内容。本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切，电场平行于平板表面。频率测试范围：f=2 GHz~100 GHz；介电常数测试范围：〖ε'〗_r=2.0~100；损耗角正切测试范围：tanδ=1.0×10^(-5)~1.0×10^(-2)；温度测试范围：T=-65 ℃~125 ℃。
Test method for the complex permittivity of low-loss dielectric plates－Split-cylinder resonator method
现行
2023-04-07
2023-07-07
本文件规定了介质平板材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的分离式圆柱谐振腔法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、计算公式、注意事项和试验报告等内容。 本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切，电场平行于平板表面。 频率测试范围：f=2 GHz~100 GHz； 介电常数测试范围：〖ε'〗_r=2.0~100； 损耗角正切测试范围：tanδ=1.0×10^(-5)~1.0×10^(-2)； 温度测试范围：T=-65 ℃~125 ℃。
本文件规定了介质平板材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的分离式圆柱谐振腔法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、计算公式、注意事项和试验报告等内容。本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切，电场平行于平板表面。频率测试范围：f=2 GHz~100 GHz；介电常数测试范围：〖ε'〗_r=2.0~100；损耗角正切测试范围：tanδ=1.0×10^(-5)~1.0×10^(-2)；温度测试范围：T=-65 ℃~125 ℃。
电子科技大学，工业和信息化电子第五研究所，中国测试技术研究院，成都恩驰微波科技有限公司，中国科学院深圳先进技术研究院，山东国瓷功能材料股份有限公司
余承勇，何骁，李恩，高勇，李兴兴，高冲，张云鹏，郑虎，李灿平，贺光辉，于淑会，宋锡滨，肖美珍
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
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