主要技术内容
本文件规定了介质基板在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的平衡型圆盘测试方法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、注意事项和试验报告等内容。本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切，电场垂直于平板表面。频率测试范围：f=5 GHz~170 GHz；介电常数测试范围：ε_r=2.0~10.0；损耗角正切值测试范围：tanδ=1.0×10^(-4)~1.0×10^(-2)。
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Test method for the complex permittivity of high-frequency dielectric substrates －Balanced-type circular disk resonator method
现行
2023-04-07
2023-07-07
T/CSTM 00986-2023
中关村材料试验技术联盟
否
L 30
31.180
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了介质基板在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的平衡型圆盘测试方法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、注意事项和试验报告等内容。 本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切，电场垂直于平板表面。 频率测试范围：f=5 GHz~170 GHz； 介电常数测试范围：ε_r=2.0~10.0； 损耗角正切值测试范围：tanδ=1.0×10^(-4)~1.0×10^(-2)。
本文件规定了介质基板在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切的平衡型圆盘测试方法，包括原理、环境条件、仪器设备、样品要求、测试步骤、注意事项和试验报告等内容。本文件适用于测试片状材料在微波和毫米波频段的介电常数和介质损耗角正切，电场垂直于平板表面。频率测试范围：f=5 GHz~170 GHz；介电常数测试范围：ε_r=2.0~10.0；损耗角正切值测试范围：tanδ=1.0×10^(-4)~1.0×10^(-2)。
电子科技大学，工业和信息化电子第五研究所，中国测试技术研究院，成都恩驰微波科技有限公司，常州中英科技有限公司，浙江华正新材料股份有限公司
余承勇，何骁，李恩，张云鹏，李兴兴，高冲，高勇，朱辉，贺光辉，陈泽坚，李灿平，俞丞，任英杰
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