相变存储器电性能测试方法

Measurement methods for electrical properties of phase change memory

T/CSTM 01003-2023制造业

现行

更新日期:2026-03-30

标准状态

发布日期

2023-03-07

实施日期

2023-06-07

基础信息

标准号

T/CSTM 01003-2023

包含专利

否

标准分类

中国标准分类号

L 56

国际标准分类号

31.200

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法,分为器件性能测试和器件可靠性测试,器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗;器件可靠性测试包括耐久性和数据保持时间。 本文件适用于相变存储单元器件(以下简称器件)。

主要技术内容

本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法,分为器件性能测试和器件可靠性测试,器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗;器件可靠性测试包括耐久性和数据保持时间。本文件适用于相变存储单元器件(以下简称器件)。

起草单位

华中科技大学、长江存储科技有限责任公司、中国计量科学研究院、中国电子技术标准化研究院

起草人

缪向水、何强、童浩、程晓敏、刘峻、李硕、任玲玲、李锟。

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